是用GaAs（砷化鉀）生產的微波元件結構的一種。pHEMT與HBT同樣可使用在高線度，高功效的無線電射頻裝置，但pHEMT的RF若要達到與HBT相同的功效則需較大尺寸的晶片，雖然pHEMT要有相對的高單體成本，但pHEMT在操作電壓效率上比HBT有優勢，因為HBT需要極高的開機電壓，所以無法在低於2.5V的狀態下繼續操作或維持高效能，此外，pHEMT元件在1.5V狀態下能有高效能的表現，對講究待機時間長的行動產品而言，pHEMT較具優勢。另外，pHEMT亦具有低雜訊的特點，因此在20GHz以上的高頻微波通訊上，pHEMT有一定的市場地位。