是經由氣流傳輸反應物到磊晶基板上，以氣閥控制氣流，藉由氣體管路系統的特殊設計，去除管路的暗空間，並降低成長速率，達到超結晶格子結構的成長需求。

MOCVD技術則有利於大量生產，但在控制厚度上卻較為不易；一般而言，MOCVD適合生產HBT（異質接面雙載電晶體）元件。目前採用MOCVD生產磊晶的地區主要集中在日本，其次是北美，產品主要應用在行動電話及衛星通訊上。