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MRAM屬於非揮發性記憶體，是以磁電阻特性儲存記錄資訊，具有低耗能、非揮發、半永久特性。MRAM最終主要目標是在整合PC內部所有的記憶體，使未來SOC中只剩下CPU與MRAM。
MRAM運作的基本原理與在硬碟上存儲數據一樣，數據以磁性的方向為依據，存儲為 0或
1，所儲存的資料具有永久性，直到被外界的磁場影響之後，才會改變這個磁性數據。就讀取速度而言，
MRAM為25∼100ns，與SRAM相近；在寫入次數上，MRAM與DRAM及SRAM一樣，都可寫入無限次的記憶；在耗電量上，MRAM較SRAM具有較低耗電的優點；在製程上，MRAM金屬底層是以CMOS
Logic製程完成，比DRAM的製程技術簡單。MRAM的製程核心技術在於將電晶體往上層堆疊，且一個電晶體可以控制32 bits（DRAM一個電晶體只能控制1
bit），而不需要持續性縮小體積，就可做出高記憶體容量的產品。
目前投入MRAM研發的廠商包括Motorola、IBM、HP、Infineon、三星、Honeywell等，其中IBM與Infineon策略聯盟，而聯電與IBM有製程協定，規劃與聯邦半導體合作，取得MRAM領先技術。
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