電子/半導體

前導晶片低溫二相磊晶成長法

即是在低溫二相磊晶成長法之基板前方，放置一片砷化錠晶片，此晶片我們稱之為前晶片，其目的是在降低磊晶溶液內的過飽和度，進而降低短時間成長效應。