電子/半導體

低溫二相磊晶成長法

液相磊晶成長系統的磊晶層成長溫度，一般設定在攝氏800度，這是因為GaAs基板上氧化層三氧化二鎵需要經過攝氏650度以上的溫度處理後，才能分解去除。因此，當成長溫度設定在攝700度的時候，稱為低溫成長。