電子/半導體

donor killer　donor annihilation。氧氣施體殺手。消除氧氣施體。

是指將矽晶錠或晶圓在攝氏650度後之溫度，經半小時到一個半小時的熱處理後，再經由攝氏450度溫度左右作急速冷卻時，即可去除氧氣施體之方法。